مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی بدون آلایش با ابعاد 1 در 1 سانتی متر
ویفر بدون آلایش جهت ساخت ادواتی چون دیود‌های PIN که در آن‌ها نیاز به استفاده از یک لایه نیمه هادی ذاتی است، استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی نایتراید نوع P با زیرلایه اکسید، ابعاد 1 در 1 سانت
در صنعت نیمه هادی، لایه‌های سیلیکون نایتراید به عنوان ماده دی الکتریک، لایه محافظت کننده استفاده شده و یا به عنوان ماسک سخت به کار می‌روند.
ویفر سیلیکونی نایتراید نوع P با زیرلایه اکسید، قطر 4 اینچ
در صنعت نیمه هادی، لایه‌های سیلیکون نایتراید به عنوان ماده دی الکتریک، لایه محافظت کننده استفاده شده و یا به عنوان ماسک سخت به کار می‌روند.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 0.001 تا 0.009 اهم سانتی‌متر، با ابعاد یک در یک سانتی متر
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 0.001 تا 0.009 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر تک کریستال لیتیوم تانتالیت‌‌ (LiTaO3 Single crystal Wafer)
LiTaO3 دارای خواصی است که برای دستگاه‌­های SAM (موج صوتی سطحی) و به علت دارا بودن مشخصات مختلف در زمینه­­‌ی اپتیک می­‌توان مورد استفاده قرار داد.
ویفر سیلیکونی نوع (N)، قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر تک کریستال منیزیم اکسید‌ (Single crystal magnesium oxide wafer (MgO
ویفر MgO، یک ویفر مقاوم به درجه حرارت بالا است، از اینرو در ابررساناها مورد استفاده قرار میگیرد.
ویفر سیلیکونی نوع (P) مناسب برای MEMS و ترانزیستور قطر 2 اینچ آگار(AGG3336)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد.از کاربرددهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد. 
ویفر سیلیکونی نوع‌ (P)‌ مناسب برای MEMS و ترانزیستور
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.   
ویفر سیلیکونی بدون آلایش،قطر 4 اینچ
ویفر بدون آلایش جهت ساخت ادواتی چون دیود‌های PIN که در آن‌ها نیاز به استفاده از یک لایه نیمه هادی ذاتی است، استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون با درجه Dummy الزامی بر روی جهت کریستالی و یا مقاومت ندارد. از این رو ارزان تر بوده و برای برخی کاربرد‌های خاص مناسب است. 
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ
ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود. 
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ
   ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود.    
 ویفر سیلیکونی سولار، تک کریستال
ویفر سیلیکون با درجه solar عمدتا پلی کریستال بوده و با اندازه و نوع ناخالصی مشخصی در مقیاس صنعتی عرضه می‌گردد. کاربرد آن درسلول‌های خورشیدی و سلول‌های فتوولتایی است.
قلم الماس
به منظور برش ویفر‌های سیلیکونی از وسیله‌ای به نام اسکرایبر استفاده می‌گردد. 

قلم الماس

350,000 ریال
ویفر تک کریستال لیتیوم نایوبیت‌‌‌ (LiNbO3 Single crystal Wafer) با جهت کریستالی 128Y
ویفر تک کریستال در نسل جدید طول­ موج­‌ها و عناصر شکست استفاده می­‌شود و با توجه به خواص زیادی که دارد استفاده‌­های زیادی از آن می­‌شود.