جدیدترین محصولات اضافه شده
مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)
ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، با ضخامت 100 نانومتر
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود
ویفر سیلیکونی اکسید با لایه نقره نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی بدون آلایش با ابعاد 1 در 1 سانتی متر
ویفر بدون آلایش جهت ساخت ادواتی چون دیود‌های PIN که در آن‌ها نیاز به استفاده از یک لایه نیمه هادی ذاتی است، استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ، High Dope
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی نایتراید نوع P با زیرلایه اکسید، قطر 4 اینچ
در صنعت نیمه هادی، لایه‌های سیلیکون نایتراید به عنوان ماده دی الکتریک، لایه محافظت کننده استفاده شده و یا به عنوان ماسک سخت به کار می‌روند.
ویفر سیلیکونی نوع (N)، با لایه طلا (قطر 2 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر کوارتز فیوز سیلیکا با قطر 1 اینچ میلی‌متر‌‌ (JGS1)
ویفر کوارتز دارای خلوص بالا، انبساط حرارتی کم، استحکام کششی بالا، انتقال نوری بالا و خواص اوپتیکی منحصر به فرد است.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور با لایه طلا (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر کوارتز فیوز سیلیکا با قطر 1 اینچ میلی‌متر‌ (JGS2)
این ویفر دارای خلوص بالا، انبساط حرارتی کم، استحکام کششی بالا، انتقال نوری بالا و خواص الکتریکی منحصر به فرد است.
ویفر تک کریستال لیتیوم نایوبیت‌‌‌ (LiNbO3 Single crystal Wafer) با جهت کریستالی 41Y
ویفر تک کریستال در نسل جدید طول­ موج­‌ها و عناصر شکست استفاده می­‌شود و با توجه به خواص زیادی که دارد استفاده‌­های زیادی از آن می­‌شود.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 0.001 تا 0.009 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر تک کریستال لیتیوم تانتالیت‌‌ (LiTaO3 Single crystal Wafer)
LiTaO3 دارای خواصی است که برای دستگاه‌­های SAM (موج صوتی سطحی) و به علت دارا بودن مشخصات مختلف در زمینه­­‌ی اپتیک می­‌توان مورد استفاده قرار داد.
ویفر سیلیکونی نوع (N)، قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر تک کریستال منیزیم اکسید‌ (Single crystal magnesium oxide wafer (MgO
ویفر MgO، یک ویفر مقاوم به درجه حرارت بالا است، از اینرو در ابررساناها مورد استفاده قرار میگیرد.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر ژرمانیوم‌ (Germanium wafer)
این ویفر از ماده­ نیمه هادی ساخته شده است که دارای خواص الکتریکی منحصربه ­فرد و خلوص بالای 99% می­باشد.

ویفر ژرمانیوم‌ (Germanium wafer)

لطفاً تماس بگیرید
ویفر سفایر‌‌ (Wafer sapphire (Al2O3
وبفر Al2O3دارای لایه آلومینا می‌­باشد. این لایه دارای قدرت مکانیکی خوب، هدایت حرارتی بالا و پایداری عالی در برابر دمای بالا و خورندگی مواد شیمیایی دارد و عایق الکتریکی بسیارعالی می­‌باشد.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای ترانزیستور قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر کلسیوم فلوراید‌ با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (Calcium fluoride wafer (CaF2
ویفر کلسیوم فلوراید دارای سطح براق است که در شرایط عادی و طبیعی محیط می­‌تواند سال­ها این براق بودن را حفظ کند و دارای پایداری خوبی می­‌باشند.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با ابعاد یک در یک
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر کلسیوم فلوراید‌ با ابعاد 0.5 در 5 در 5 میلی‌متر (Calcium fluoride wafer (CaF2
ویفر کلسیوم فلوراید دارای سطح براق است که در شرایط عادی و طبیعی محیط می­‌تواند سال­ها این براق بودن را حفظ کند و دارای پایداری خوبی می­‌باشند.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر منیزیم فلوراید‌ با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (Magnesium fluoride wafer (MgF2
این ویفر دارای مقاومت عالی در برابر شک‌های حرارتی و مکانیکی می‌­باشد و در سیستم­‌هایی که در آن دوام و محکمی اهمیت دارد می­‌توان استفاده کرد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر منیزیم فلوراید‌ با ابعاد 0.5 در 5 در 5 میلی‌متر (Magnesium fluoride wafer (MgF2
این ویفر دارای مقاومت عالی در برابر شک‌های حرارتی و مکانیکی می‌­باشد و در سیستم­‌هایی که در آن دوام و محکمی اهمیت دارد می­‌توان استفاده کرد.
ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود
ویفر سیلیسیم کارباید با قطر 2 اینچ (Silicon carbide wafer (SiC
این ویفر دارای مقاومت عالی در برابر شک‌های حرارتی و مکانیکی می‌­باشد و در سیستم­‌هایی که در آن دوام و محکمی اهمیت دارد می­‌توان استفاده کرد.
ویفر سیلیسیم کارباید با قطر 3 اینچ (Silicon carbide wafer (SiC
این ویفر دارای مقاومت عالی در برابر شک‌های حرارتی و مکانیکی می‌­باشد و در سیستم­‌هایی که در آن دوام و محکمی اهمیت دارد می­‌توان استفاده کرد.
ویفر سیلیکونی نوع‌ (P)‌ با ابعاد 1 در 1 مناسب برای MEMS و ترانزیستور
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.   
ویفر اکسید تیتانیوم با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (Titanium dioxide wafer (TiO2
  TiO2یک ویفر تک کریستال است که یکی از مناسب­ ترین مواد برای ساخت منشور‌ها و دستگاه­‌های پلاریزه مانند: عایق­‌های نوری می‌­باشد. 
ویفر سیلیکونی نوع (P) مناسب برای MEMS و ترانزیستور قطر 2 اینچ آگار(AGG3336)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد.از کاربرددهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد. 
ویفر اکسید تیتانیوم با ابعاد 0.5 در 5 در 5 میلی‌متر (Titanium dioxide wafer (TiO2
  TiO2یک ویفر تک کریستال است که یکی از مناسب­ ترین مواد برای ساخت منشور‌ها و دستگاه­‌های پلاریزه مانند: عایق­‌های نوری می‌­باشد. 
ویفر اکسید روی با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (zinc oxide wafer (ZnO
ویفر اکسید روی دارای ضریب الکترومکانیکی بزرگی است. این ویفر دارای پایداری خوب شیمیایی و فیزیکی است که در دستگاه­‌هایی با انرژی الکتریکی بالا و درجه حرارت بالا استفاده می­‌گردد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، قطر 4 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر اکسید روی با ابعاد 0.5 در 5 در 5 میلی‌متر (zinc oxide wafer (ZnO
ویفر اکسید روی دارای ضریب الکترومکانیکی بزرگی است. این ویفر دارای پایداری خوب شیمیایی و فیزیکی است که در دستگاه­‌هایی با انرژی الکتریکی بالا و درجه حرارت بالا استفاده می­‌گردد.
ویفر BGO با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (BGO Wafer)
این ویفر دارای ساختار شبکه مکعبی بوده و در زمره ویفرهای اکسیدی   شفاف و بی رنگ قرار می‌گیرد.
ویفر سیلیکونی نوع (p) مناسب برای ترانزیستور قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده می‌گردد. 
ویفر BGO با ابعاد 0.5 در 5 در 5 میلی‌متر (BGO Wafer)
این ویفر دارای ساختار شبکه مکعبی بوده و در زمره ویفرهای اکسیدی   شفاف و بی رنگ قرار می‌گیرد.
ویفر سیلیکونی نوع‌ (P)‌ با لایه‌ی اکسید (ابعاد 1سانتی‌متر در 1سانتی‌متر)
   در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.   
ویفر سیلیکونی نوع‌ (P)‌ مناسب برای MEMS و ترانزیستور  قطر 4 اینچ با لایه طلا
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر کوارتز تک کریستال با قطر 1 اینچ‌، با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (Single Crystal Quartz Wafer)
این ویفر دارای هدایت حرارتی خوب، پایداری بالا، خواص مکانیکی عالی، ثابت دی الکتریک پایدار، دمای کار بالا و عملکرد قابل قبولی از خود در آزمایش نشان می‌­دهد.
ویفر سیلیکونی نوع‌ (P)‌ مناسب برای MEMS و ترانزیستور
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.   
ویفر کوارتز تک کریستال با قطر 1 اینچ‌، با ابعاد 0.5 در 5 در 5 میلی‌متر (Single Crystal Quartz Wafer)
این ویفر دارای هدایت حرارتی خوب، پایداری بالا، خواص مکانیکی عالی، ثابت دی الکتریک پایدار، دمای کار بالا و عملکرد قابل قبولی از خود در آزمایش نشان می‌­دهد.
ویفر DyScO3 با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (DyScO3 Wafer)
شبکه قابل انطباق با ساختار‌های پروسکایت ابر رسانا
ویفر DyScO3 با ابعاد 0.5 در 5 در 5 میلی‌متر (DyScO3 Wafer)
شبکه قابل انطباق با ساختار‌های پروسکایت ابر رسانا
ویفر سیلیکونی بدون آلایش،قطر 4 اینچ
ویفر بدون آلایش جهت ساخت ادواتی چون دیود‌های PIN که در آن‌ها نیاز به استفاده از یک لایه نیمه هادی ذاتی است، استفاده می‌گردد.
ویفر GGG با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (GGG Wafer)
ویفر GGG از جمله ویفرهای تک کریستال هستند. این ویفر دارای خواص فیزیکی، نوری و حرارتی می­‌باشد و از پایداری شیمیایی مناسبی برخوردار است.
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون با درجه Dummy الزامی بر روی جهت کریستالی و یا مقاومت ندارد. از این رو ارزان تر بوده و برای برخی کاربرد‌های خاص مناسب است. 
ویفر GGG با ابعاد 0.5 در 5 در 5 میلی‌متر (GGG Wafer)
ویفر GGG از جمله ویفرهای تک کریستال هستند. این ویفر دارای خواص فیزیکی، نوری و حرارتی می­‌باشد و از پایداری شیمیایی مناسبی برخوردار است.
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر LiAlO2 با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (LiAlO2 Wafer)
ویفر LiAlO2 دارای پایداری شیمیایی خوب می­‌باشد و در دمای بالا نیز پایدار است و نسبت به ویفرهای مشابه به صرفه ­تر است.
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 6 اینچ
ویفر سیلیکون با درجه Dummy الزامی بر روی جهت کریستالی و یا مقاومت ندارد. از این رو ارزان تر بوده و برای برخی کاربرد‌های خاص مناسب است.
ویفر LiAlO2 با ابعاد 0.5 در 5 در 5 میلی‌متر (LiAlO2 Wafer)
ویفر LiAlO2 دارای پایداری شیمیایی خوب می­‌باشد و در دمای بالا نیز پایدار است و نسبت به ویفرهای مشابه به صرفه ­تر است.
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ
ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود. 
ویفر CaCO3 با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (CaCO3 Wafer)
ویفر CaCO3 از نوع تک کریستالی می­‌باشد.
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ
   ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود.