ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ

در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.

  • ویژگی ها
  • ضخامت ویفر : 25 ± 400 میکرو‌متر
  • جهت کریستالی : <100>
  • نوع ناخالصی : فسفر
  • نوع اکسید : خشک
  • ضخامت اکسید : 250 نانو‌متر
  • مدت زمان تحویل
  • زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
  • کاربرد‌ها
  • موارد مصرف: 1)‌الکترونیک 2)‌ادوات نیمه هادی 3)‌ساخت مدار‌های مجتمع 4)‌حسگر 5)‌سلول‌های خورشیدی فتوولتایی 6)استفاده به عنوان لایه قربانی MEMS ،NEMS (7
  • محل ساخت
  • کشور : سنگاپور

ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ

شرح محصول:

در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود. این ویفر در الکترونیک، ساخت ترانزیستور، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS ،NEMS، سلول‌های خورشیدی و به عنوان لایه قربانی استفاده می‌گردد.

نظرات کاربران درباره ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ

نظری در مورد این محصول توسط کاربران ارسال نگردیده است.
اولین نفری باشید که در مورد ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ نظر می دهد.

ارسال نظر درباره ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ

لطفا توجه داشته باشید که ایمیل شما منتشر نخواهد شد.
 
کد امنیتی *
captcha

برچسب های مرتبط با ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ

نانو بازار
قیمت قبلی: 2,070,000 ریال
قیمت: 1,670,000 ریال
کد محصول NB-10710008
وضعیت موجودی موجود در نانوبازار
محصولات مرتبط
قلم الماس
120,000 ریال