ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
- ویژگی ها
- ضخامت ویفر: 10 ± 400 میکرومتر
- جهت کریستالی : <100>
- نوع ناخالصی : فسفر
- نوع اکسید : خشک
- ضخامت اکسید : 300 نانومتر
- مدت زمان تحویل
- زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
- کاربردها
- موارد مصرف: 1)الکترونیک 2)ادوات نیمه هادی 3)ساخت مدارهای مجتمع 4)حسگر 5)سلولهای خورشیدی فتوولتایی 6)استفاده به عنوان لایه قربانی MEMS ،NEMS (7
- محل ساخت
- کشور: چین
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
شرح محصول:
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود. این ویفر در الکترونیک، ساخت ترانزیستور، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS ،NEMS، سلولهای خورشیدی و به عنوان لایه قربانی استفاده میگردد.
محصولات مرتبط
ویفر سیلیکونی سولار
3,050,000 ریال
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ
295,550,000 ریال
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 4 اینچ
7,000,000 ریال
بر اساس سلیقه شما...