ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ

 

ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود. 

 

  • ویژگی ها
  • ضخامت ویفر : 500 میکرو‌متر
  • جهت کریستالی : 100
  • مقاومت : 1 تا 10 اهم سانتی‌متر
  • ضخامت اکسید : 5-4 میکرو‌متر
  • ضخامت لایه اکتیو : 75 میکرومتر
  • نوع : P
  • مدت زمان تحویل
  • زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
  • کاربرد‌ها
  • موارد مصرف: 1)دستگاه‌های قدرت 2)سنسور‌های فشار 3)قطعات مایکروفر 4)MEMS
  • محل ساخت
  • کشور : سنگاپور

ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ

شرح محصول:

ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود. این نوع ویفر درIC ‌های سرعت بالا و در درجه حرارت بالا و همچنین در IC‌های قدرت کم و ولتاژ پایین استفاده می‌شوند.

نظرات کاربران درباره ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ

نظری در مورد این محصول توسط کاربران ارسال نگردیده است.
اولین نفری باشید که در مورد ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ نظر می دهد.

ارسال نظر درباره ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ

لطفا توجه داشته باشید که ایمیل شما منتشر نخواهد شد.
 
کد امنیتی *
captcha

برچسب های مرتبط با ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ

نانو بازار
قیمت: لطفاً تماس بگیرید
کد محصول 70105002
وضعیت موجودی موجود در نانوبازار