ویفرهای سیلیکونی

مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)
ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، با ضخامت 100 نانومتر
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی اکسید با لایه نقره نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی بدون آلایش با ابعاد 1 در 1 سانتی متر
ویفر بدون آلایش جهت ساخت ادواتی چون دیود‌های PIN که در آن‌ها نیاز به استفاده از یک لایه نیمه هادی ذاتی است، استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ، High Dope
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (P)، قطر 4 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی نایتراید نوع P با زیرلایه اکسید، قطر 4 اینچ
در صنعت نیمه هادی، لایه‌های سیلیکون نایتراید به عنوان ماده دی الکتریک، لایه محافظت کننده استفاده شده و یا به عنوان ماسک سخت به کار می‌روند.
ویفر سیلیکونی نوع (N)، با لایه طلا (قطر 2 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور با لایه طلا (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 0.001 تا 0.009 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی نوع (N)، قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای ترانزیستور قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با ابعاد یک در یک
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود
ویفر سیلیکونی نوع‌ (P)‌ با ابعاد 1 در 1 مناسب برای MEMS و ترانزیستور
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.   
ویفر سیلیکونی نوع (P) مناسب برای MEMS و ترانزیستور قطر 2 اینچ آگار(AGG3336)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد.از کاربرددهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد. 
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، قطر 4 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی نوع (p) مناسب برای ترانزیستور قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی نوع‌ (P)‌ با لایه‌ی اکسید (ابعاد 1سانتی‌متر در 1سانتی‌متر)
   در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.   
ویفر سیلیکونی نوع‌ (P)‌ مناسب برای MEMS و ترانزیستور  قطر 4 اینچ با لایه طلا
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی نوع‌ (P)‌ مناسب برای MEMS و ترانزیستور
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.   
ویفر سیلیکونی بدون آلایش،قطر 4 اینچ
ویفر بدون آلایش جهت ساخت ادواتی چون دیود‌های PIN که در آن‌ها نیاز به استفاده از یک لایه نیمه هادی ذاتی است، استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون با درجه Dummy الزامی بر روی جهت کریستالی و یا مقاومت ندارد. از این رو ارزان تر بوده و برای برخی کاربرد‌های خاص مناسب است. 
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 6 اینچ
ویفر سیلیکون با درجه Dummy الزامی بر روی جهت کریستالی و یا مقاومت ندارد. از این رو ارزان تر بوده و برای برخی کاربرد‌های خاص مناسب است.
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ
ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود. 
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ
   ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود.    
 ویفر سیلیکونی سولار، تک کریستال
ویفر سیلیکون با درجه solar عمدتا پلی کریستال بوده و با اندازه و نوع ناخالصی مشخصی در مقیاس صنعتی عرضه می‌گردد. کاربرد آن درسلول‌های خورشیدی و سلول‌های فتوولتایی است.
ویفر سیلیکونی با لایه Si3N4
در صنعت نیمه هادی، لایه‌های سیلیکون نایتراید به عنوان ماده دی الکتریک، لایه محافظت کننده استفاده شده و یا به عنوان ماسک سخت به کار می‌روند.

ویفر سیلیکونی با لایه Si3N4

لطفاً تماس بگیرید
قلم الماس
به منظور برش ویفر‌های سیلیکونی از وسیله‌ای به نام اسکرایبر استفاده می‌گردد. 

قلم الماس

200,000 ریال