ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 0.001 تا 0.009 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
- ویژگی ها
- ضخامت ویفر : 25 ± 525 میکرو‌متر
- جهت کریستالی : <100>
- نوع ناخالصی : فسفر
- مقاومت : 0.009 تا 0.001 اهم سانتی‌متر
- زبری سطح : کمتر از 5 آنگستروم
- پولیش : یک سمت پولیش
- ابعاد : قطر 4 اینچ در 525 میکرون
- مدت زمان تحویل
- زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
- کاربرد‌ها
- موارد مصرف: 1)الکترونیک 2)ادوات نیمه هادی 3)ساخت مدار‌های مجتمع 4)حسگر 5)سلول‌های خورشیدی فتوولتایی MEMS ،NEMS (6
- محل ساخت
- کشور : سنگاپور
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 0.001 تا 0.009 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
شرح محصول:
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. سیلیکون می‌تواند با ناخالصی‌هایی مثل فسفر و یا بورون آلاییده شده و به صورت نیمه هادی غیرذاتی نوع N یا P استفاده گردد.
نظرات کاربران درباره ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 0.001 تا 0.009 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
نظری در مورد این محصول توسط کاربران ارسال نگردیده است.
اولین نفری باشید که در مورد ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 0.001 تا 0.009 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ) نظر می دهد.
محصولات مرتبط
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
13,128,000 ریال
ویفر سیلیکونی سولار
3,508,000 ریال
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ
295,550,000 ریال
ویفر سیلیکونی با لایه Si3N4
52,300,000 ریال
بر اساس سلیقه شما...
