مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی نایتراید نوع P با زیرلایه اکسید، قطر 4 اینچ
در صنعت نیمه هادی، لایه‌های سیلیکون نایتراید به عنوان ماده دی الکتریک، لایه محافظت کننده استفاده شده و یا به عنوان ماسک سخت به کار می‌روند.
ویفر سیلیکونی نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد. از کاربردهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد.
ویفر سیلیکونی نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد. از کاربردهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد.
ویفر تک کریستال لیتیوم تانتالیت‌‌ (LiTaO3 Single crystal Wafer)
LiTaO3 دارای خواصی است که برای دستگاه‌­های SAM (موج صوتی سطحی) و به علت دارا بودن مشخصات مختلف در زمینه­­‌ی اپتیک می­‌توان مورد استفاده قرار داد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون با درجه Dummy الزامی بر روی جهت کریستالی و یا مقاومت ندارد. از این رو ارزان تر بوده و برای برخی کاربرد‌های خاص مناسب است. 
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ
ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود. 
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ
   ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌­های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود.    
 ویفر سیلیکونی سولار
ویفر سیلیکون با درجه solar عمدتا پلی کریستال بوده و با اندازه و نوع ناخالصی مشخصی در مقیاس صنعتی عرضه می‌گردد. کاربرد آن درسلول‌های خورشیدی و سلول‌های فتوولتایی است.