ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ

ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود.

ویژگی ها
ضخامت ویفر : 500 میکرو‌متر
جهت کریستالی : 100
مقاومت : 1 تا 10 اهم سانتی‌متر
ضخامت اکسید : 5-4 میکرو‌متر
ضخامت لایه اکتیو : 25 میکرومتر
نوع : P
مدت زمان تحویل
زمان : ۴۵ روز کاری
کاربرد‌ها
موارد مصرف: 1)دستگاه‌های قدرت 2)سنسور‌های فشار 3)قطعات مایکروفر 4)MEMS
محل ساخت
کشور : سنگاپور

توضیحات
نظرات کاربران
برچسب ها

ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ

شرح محصول:

ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا می‌باشد و در آزمایشگاه‌های MEMS، دستگاه‌های قدرت، سنسور فشار استفاده می‌شود. این نوع ویفر درIC ‌های سرعت بالا و در درجه حرارت بالا و همچنین در IC‌های قدرت کم و ولتاژ پایین استفاده می‌شوند.