ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ
ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا میباشد و در آزمایشگاههای MEMS، دستگاههای قدرت، سنسور فشار استفاده میشود.
- ویژگی ها
- ضخامت ویفر : 500 میکرومتر
- جهت کریستالی : 100
- مقاومت : 1 تا 10 اهم سانتیمتر
- ضخامت اکسید : 5-4 میکرومتر
- ضخامت لایه اکتیو : 25 میکرومتر
- نوع : P
- مدت زمان تحویل
- زمان : ۴۵ روز کاری
- کاربردها
- موارد مصرف: 1)دستگاههای قدرت 2)سنسورهای فشار 3)قطعات مایکروفر 4)MEMS
- محل ساخت
- کشور : سنگاپور
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ
شرح محصول:
ویفر SOI یک ویفر نیمه هادی است. این ویفر دارای کیفیت بالا میباشد و در آزمایشگاههای MEMS، دستگاههای قدرت، سنسور فشار استفاده میشود. این نوع ویفر درIC های سرعت بالا و در درجه حرارت بالا و همچنین در ICهای قدرت کم و ولتاژ پایین استفاده میشوند.
محصولات مرتبط
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
10,940,000 ریال
ویفر سیلیکونی سولار
3,050,000 ریال
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ
295,550,000 ریال
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 4 اینچ
7,000,000 ریال
بر اساس سلیقه شما...
ویفر سیلیکونی سولار
3,050,000 ریال