bazar
50cc) Developer SU8-2050)
سری فتورزیست SU8 2000 دارای کنتراست بالا و بر پایه اپوکسی است که عمدتا برای ریز ماشین کاری به خصوص جایی که یک لایه ضخیم و پایدار از نظر شیمیایی و حرارتی نیاز است، استفاده میگردد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر (قطر 4 اینچ)
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 5 اهم سانتی متر (قطر 4 اینچ)
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشههای الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد.
ویفر سیلیکونی نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشههای الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد.
ویفر سیلیکونی نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد. از کاربردهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد.
ویفر سیلیکونی نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد. از کاربردهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد.
100cc) Developer SU8-2050)
سری فتورزیست SU8 2000 دارای کنتراست بالا و بر پایه اپوکسی است که عمدتا برای ریز ماشین کاری به خصوص جایی که یک لایه ضخیم و پایدار از نظر شیمیایی و حرارتی نیاز است، استفاده میگردد.
قوطی پلاستیکی 20 میلی
ظروف پلاستیکی با درب پلمبی برای نگهداری و انتقال موادی که در صورت باز بودن درب تبخیر میشوند استفاده میگردد.
فویل مس با ابعاد 18 در 100 سانتی متر و ضخامت 20 میکرون
فویل مس یک صفحه مسی کاملا صاف و خالی از اکسید و روغن است که ویژگیهای مکانیکی خوب و الکتریکی برجستهای دارد.
فتورزیست منفی (SU8-2050 (25cc
فتورزیست SU8-2050 بر پایه اپوکسی و مناسب برای استفاده در ریزماشین کاری میباشد.
نانو ذرات هیدروکسی آپاتیت ( Natural Hydroxyapatite)، اندازه ذرات کمتر از 200 نانومتر،10 گرمی
هیدروکسی آپاتیت (HAp) یک کلسیم فسفات است که در مورفولوژی و ترکیب مشابه بافت های سخت انسان است. بطور مشخص، این ماده ساختاری هگزاگونال و نسبت کلسیم به فسفات 1.78 دارد که بسیار مشابه آپاتیت استخوان است.
چسب رسانای خمیری نقره گرمی با هدایت بسیار بالا، یک گرمی
چسب خمیری نقره به دلیل وجود ذرات نقره هادی بوده و جهت برقراری اتصال الکتریکی مناسب است.
چسب داخل سرنگ را فورا در داخل قوطی ریخته و درب آن را ببندید و قبل مصرف خوب هم بزنید.
دانلود ویدئو
چسب رسانای کربن نواری دو طرفه آگار، متری (AGG3939)، مخصوص SEM
چسب رسانای کربن مناسب برای آماده سازی و اتصال نمونه در آزمایشگاههای SEM میباشد.
گرید مسی با پوشش کربن فرموار آگار (AGS162-3)
جهت انجام آنالیز TEM نیاز است نمونه به صورت لایهای نازک بر روی قطعه استانداردی به نام گرید قرار داده شود، که یکی از پرکاربردترین انواع گرید میتوان به گرید کربن فرموار اشاره کرد که از استحکام و انعطاف پذیری بالایی برخوردار است.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
چسب رسانای کربن نواری دو طرفه آگار، 20 متر (AGG3939A)، مخصوص SEM
چسب رسانای کربن مناسب برای آماده سازی و اتصال نمونه در آزمایشگاههای SEM میباشد.
ویفر سیلیکونی نوع (P) مناسب برای MEMS و ترانزیستور قطر 2 اینچ آگار(AGG3336)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد.از کاربرددهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد.
گرید کربن لیسی مس آگار (AGS166-3)
گرید کربن لیسی یک گرید مسی با پوشش کربن بسیار نازک و سوراخدار است که به خاطر وجود ساختار مش لیسی، درصد بیشتری ناحیه خالی در مقایسه با گرید کربن سوراخدار دارد.