WAFER
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر (قطر 4 اینچ)
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 5 اهم سانتی متر (قطر 4 اینچ)
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی نایتراید نوع P با زیرلایه اکسید، قطر 4 اینچ
در صنعت نیمه هادی، لایههای سیلیکون نایتراید به عنوان ماده دی الکتریک، لایه محافظت کننده استفاده شده و یا به عنوان ماسک سخت به کار میروند.
ویفر سیلیکونی نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشههای الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد.
ویفر سیلیکونی نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشههای الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد.
ویفر سیلیکونی نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد. از کاربردهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد.
ویفر سیلیکونی نوع P مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر و قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه های الکترونیکی و ریز ابزارها استفاده میگردد. از کاربردهای این ویفر در الکترونیک، ادوات نیمه هادی، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS و NEMS، سلول های خورشیدی فتوولتایی میتوان اشاره کرد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.