ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر (قطر 4 اینچ)
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
- ویژگی ها
- ضخامت ویفر : 25 ± 500 میکرو‌متر
- جهت کریستالی : <100>
- نوع ناخالصی : فسفر
- مقاومت : 1 تا 10 اهم سانتی‌متر
- ضخامت اکسید : 300 نانومتر
- ابعاد : قطر 4 اینچ
- نوع : N
- مدت زمان تحویل
- زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
- محل ساخت
- کشور: چین
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر (قطر 4 اینچ)
در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
نظرات کاربران درباره ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر (قطر 4 اینچ)
نظری در مورد این محصول توسط کاربران ارسال نگردیده است.
اولین نفری باشید که در مورد ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع N مناسب برای MEMS و ترانزیستور با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی متر (قطر 4 اینچ) نظر می دهد.
محصولات مرتبط
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، با ابعاد یک در یک
1,170,000 ریال
بر اساس سلیقه شما...
