ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
- ویژگی ها
- ضخامت ویفر : 25 ± 525 میکرو‌متر
- جهت کریستالی : <100>
- نوع ناخالصی : فسفر
- پولیش : دو سمت پولیش
- ضخامت اکسید : 300 نانومتر
- ابعاد : قطر 4 اینچ
- نوع : N
- مدت زمان تحویل
- زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
- کاربرد‌ها
- موارد مصرف: 1)الکترونیک 2)ادوات نیمه هادی 3)ساخت مدارهای مجتمع 4)حسگر 5)سلول‌های خورشیدی فتوولتایی 6)استفاده به عنوان لایه قربانی MEMS ،NEMS (7
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ
شرح محصول:
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود. این ویفر در الکترونیک، ساخت ترانزیستور، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS ،NEMS، سلول‌های خورشیدی و به عنوان لایه قربانی استفاده می‌گردد.