ویفر سیلیکونی نوع (P) مناسب برای MEMS و ترانزیستور
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
- ویژگی ها
- ضخامت ویفر : 25 ± 525 میکرو‌متر
- جهت کریستالی : <100>
- نوع ناخالصی : بورون
- مقاومت : 1 تا 10 اهم سانتی‌متر
- زبری سطح : کمتر از 5 آنگستروم
- پولیش : یک سمت پولیش
- ابعاد : قطر 4 اینچ
- نوع : P
- مدت زمان تحویل
- زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
- محل ساخت
- کشور : سنگاپور
ویفر سیلیکونی نوع (P) مناسب برای MEMS و ترانزیستور
شرح محصول:
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. سیلیکون می‌تواند با ناخالصی‌هایی مثل فسفر و یا بورون آلاییده شده و به صورت نیمه هادی غیرذاتی نوع N یا P استفاده گردد.
محصولات مرتبط
ویفر سیلیکونی نوع (N)، قطر 2 اینچ
2,170,000 ریال
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
4,480,000 ریال
ویفر سیلیکونی نوع (p) مناسب برای ترانزیستور قطر 4 اینچ
3,110,000 ریال
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ
لطفاً تماس بگیرید
ویفر سیلیکونی سولار، تک کریستال
1,120,000 ریال
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 25µm، قطر 4 اینچ
لطفاً تماس بگیرید
ویفر SOI با ضخامت لایه اکتیو 75µm، قطر 4 اینچ
لطفاً تماس بگیرید
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای ترانزیستور قطر 4 اینچ
لطفاً تماس بگیرید
ویفر سیلیکونی با لایه Si3N4
لطفاً تماس بگیرید
قلم الماس
200,000 ریال
ویفر سیلیکونی بدون آلایش،قطر 4 اینچ
10,060,000 ریال
ویفر سیلیکونی Dummy Grade، قطر 4 اینچ
2,480,000 ریال
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (P)، قطر 4 اینچ
لطفاً تماس بگیرید
بر اساس سلیقه شما...
.jpg "سیم تنگستن با قطر 400 میکرون و خلوص 99.99 درصد")
ویفر GdScO3 با ابعاد 0.5 در 10 در 10 میلی‌متر (GdScO3 Wafer)
لطفاً تماس بگیرید
سیم تنگستن با قطر 400 میکرون و خلوص 99.99 درصد
410,000 ریال
تارگت AlMg با خلوص 99.9 درصد و قطر 2 اینچ
لطفاً تماس بگیرید
تارگت تنگستن با خلوص 99.9 درصد و قطر 2 اینچ
لطفاً تماس بگیرید