ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، قطر 4 اینچ

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.

  • ویژگی ها
  • ضخامت ویفر : 25 ± 525 میکرو‌متر
  • جهت کریستالی : <100>
  • نوع ناخالصی : بورون
  • نوع اکسید : خشک
  • ضخامت اکسید : 100 نانو‌متر
  • اندازه‌ها یا مقدارها : به قطر 4 اینچ در بسته بندی‌های 25تایی
  • مدت زمان تحویل
  • زمان : 48 ساعت
  • کاربرد‌ها
  • موارد مصرف: 1)الکترونیک 2)ساخت ترانزیستور 3)ساخت مدارهای مجتمع 4)حسگر 5)سلول‌های خورشیدی 6)استفاده به عنوان لایه قربانی 7)MEMS
  • محل ساخت
  • کشور : سنگاپور

ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، قطر 4 اینچ

شرح محصول:

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود. از جمله کاربرد‌ها می‌توان در الکترونیک، ساخت ترانزیستور، ساخت مدار‌های مجتمع و ...

نظرات کاربران درباره ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، قطر 4 اینچ

نظری در مورد این محصول توسط کاربران ارسال نگردیده است.
اولین نفری باشید که در مورد ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، قطر 4 اینچ نظر می دهد.

ارسال نظر درباره ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، قطر 4 اینچ

لطفا توجه داشته باشید که ایمیل شما منتشر نخواهد شد.
 
کد امنیتی *
captcha

برچسب های مرتبط با ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، قطر 4 اینچ

نانو بازار
قیمت: لطفاً تماس بگیرید
کد محصول 70102005
وضعیت موجودی موجود در نانوبازار
محصولات مرتبط
ویفر سیلیکونی با لایه Si3N4
لطفاً تماس بگیرید
قلم الماس
200,000 ریال