ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (P)، قطر 4 اینچ

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.

  • ویژگی ها
  • ضخامت ویفر : 25 ± 525 میکرو‌متر
  • جهت کریستالی : <100>
  • نوع ناخالصی : بورون
  • پولیش : یک سمت پولیش
  • ضخامت اکسید : 300 نانومتر
  • ابعاد : قطر 4 اینچ
  • نوع : P
  • مدت زمان تحویل
  • زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
  • کاربرد‌ها
  • موارد مصرف: 1)الکترونیک 2)ساخت ترانزیستور 3)ساخت مدارهای مجتمع 4)حسگر 5)سلول‌های خورشیدی 6)استفاده به عنوان لایه قربانی 7)MEMS

ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (P)، قطر 4 اینچ

شرح محصول:

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود. از جمله کاربرد‌ها می‌توان در الکترونیک، ساخت ترانزیستور، ساخت مدار‌های مجتمع و ...

نظرات کاربران درباره ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (P)، قطر 4 اینچ

نظری در مورد این محصول توسط کاربران ارسال نگردیده است.
اولین نفری باشید که در مورد ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (P)، قطر 4 اینچ نظر می دهد.

ارسال نظر درباره ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (P)، قطر 4 اینچ

لطفا توجه داشته باشید که ایمیل شما منتشر نخواهد شد.
 
کد امنیتی *
captcha
قیمت: 6,250,000 ریال
کد محصول 70102012
وضعیت موجودی موجود در نانوبازار