ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ، High Dope

ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ، High Dope

در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.

  • ویژگی ها
  • ضخامت ویفر : 25 ± 500 میکرو‌متر
  • جهت کریستالی : <100>
  • مقاومت : 0.006 تا 0.001 اهم سانتی‌متر
  • پولیش : دو سمت پولیش
  • ضخامت اکسید : 285 نانومتر
  • مدت زمان تحویل
  • زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
  • کاربرد‌ها
  • موارد مصرف: 1)‌الکترونیک 2)‌ادوات نیمه هادی 3)‌ساخت مدار‌های مجتمع 4)‌حسگر 5)‌سلول‌های خورشیدی فتوولتایی 6)استفاده به عنوان لایه قربانی MEMS ،NEMS (7

ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ، High Dope

شرح محصول:

در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود. این ویفر در الکترونیک، ساخت ترانزیستور، ساخت مدارهای مجتمع، حسگر، MEMS ،NEMS، سلول‌های خورشیدی و به عنوان لایه قربانی استفاده می‌گردد.

نظرات کاربران درباره ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ، High Dope

نظری در مورد این محصول توسط کاربران ارسال نگردیده است.
اولین نفری باشید که در مورد ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ، High Dope نظر می دهد.

ارسال نظر درباره ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ، High Dope

لطفا توجه داشته باشید که ایمیل شما منتشر نخواهد شد.
 
کد امنیتی *
captcha
قیمت: 6,040,000 ریال
کد محصول 70101013
وضعیت موجودی موجود در نانوبازار