ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، با ضخامت 100 نانومتر

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود

  • ویژگی ها
  • ضخامت ویفر : 25 ± 525 میکرو‌متر
  • جهت کریستالی : <100>
  • نوع ناخالصی : بورون
  • نوع اکسید : خشک
  • ضخامت اکسید: 100 نانومتر
  • مدت زمان تحویل
  • زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
  • کاربرد‌ها
  • موارد مصرف: 1)الکترونیک 2)ساخت ترانزیستور 3)ساخت مدارهای مجتمع 4)حسگر 5)سلول‌های خورشیدی 6)استفاده به عنوان لایه قربانی 7)MEMS
  • محل ساخت
  • کشور : سنگاپور

ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، با ضخامت 100 نانومتر

شرح محصول:

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود. از جمله کاربرد‌ها می‌توان در الکترونیک، ساخت ترانزیستور، ساخت مدار‌های مجتمع و ...

نظرات کاربران درباره ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، با ضخامت 100 نانومتر

نظری در مورد این محصول توسط کاربران ارسال نگردیده است.
اولین نفری باشید که در مورد ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، با ضخامت 100 نانومتر نظر می دهد.

ارسال نظر درباره ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، با ضخامت 100 نانومتر

لطفا توجه داشته باشید که ایمیل شما منتشر نخواهد شد.
 
کد امنیتی *
captcha

برچسب های مرتبط با ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)، با ضخامت 100 نانومتر

نانوبازار ویفر سیلیکون لایه اکسید ربع ویفر ویفر سیلیکونی نوع P ویفر سیلیکونی لایه اکسید WAFER silicon wafer nano nano bazar oxid
قیمت: لطفاً تماس بگیرید
کد محصول 70102011
وضعیت موجودی موجود در نانوبازار