ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود

  • ویژگی ها
  • ضخامت ویفر : 25 ± 525 میکرو‌متر
  • نوع ناخالصی : بورون
  • مقاومت : 1 تا 10 اهم سانتی‌متر
  • نوع اکسید : خشک
  • ضخامت اکسید: 20 300±
  • اندازه‌ها یا مقدارها : ربع ویفر 4 اینچ
  • مدت زمان تحویل
  • زمان : 24 تا 72 ساعت کاری
  • کاربرد‌ها
  • موارد مصرف: 1)الکترونیک 2)ساخت ترانزیستور 3)ساخت مدارهای مجتمع 4)حسگر 5)سلول‌های خورشیدی 6)استفاده به عنوان لایه قربانی 7)MEMS
  • محل ساخت
  • کشور : سنگاپور

ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)

شرح محصول:

در بسیاری موارد همچون فرآیند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود. از جمله کاربرد‌ها می‌توان در الکترونیک، ساخت ترانزیستور، ساخت مدار‌های مجتمع و ...

نظرات کاربران درباره ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)

avatar
آدرین
۲۰ فروردین ۱۳۹۷ ۱۱:۲۲:۰۱ ق.ظ
اندازه مقاومت ویفر چقدر است
avatar
پاسخ مدیر سایت
۲۱ فروردین ۱۳۹۷ ۰۸:۳۲:۳۲ ق.ظ
باسلام، 1 تا 10 اهم سانتی متر می باشد.

ارسال نظر درباره ربع ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع‌ (P)

لطفا توجه داشته باشید که ایمیل شما منتشر نخواهد شد.
 
کد امنیتی *
captcha
قیمت: لطفاً تماس بگیرید
کد محصول 70102001
وضعیت موجودی موجود در نانوبازار