مرتب سازی بر اساس:   نام محصول (صعودی | نزولی)، قیمت (صعودی | نزولی)، امتیاز مشتریان (صعودی | نزولی)
ویفر سیلیکونی اکسید با لایه نقره نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ، High Dope
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی نوع (N)، با لایه طلا (قطر 2 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور با لایه طلا (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 0.001 تا 0.009 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی نوع (N)، قطر 2 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با مقاومت 1 تا 10 اهم سانتی‌متر (قطر 4 اینچ)
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد. 
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای ترانزیستور قطر 4 اینچ
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی نوع (N) مناسب برای MEMS و ترانزیستور، با ابعاد یک در یک
ویفر سیلیکون یک برش نازک از بلور نیمه رسانای ذاتی سیلیکون است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و ریز ابزار‌ها استفاده می‌گردد.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 2 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.
ویفر سیلیکونی لایه اکسید نوع (N)، قطر 4 اینچ
در بسیاری موارد همچون فرایند ساخت ترانزیستور، نیاز است روی سطح سیلیکون یک لایه عایق با کیفیت وجود داشته باشد. بهترین عایق اکسید سیلیکونی است که در فرایندی موسوم به اکسیداسیون خشک بر روی ویفر سیلیکون رشد داده شود.